由中国感光学会辐射固化专业委员会主办的“2014第十五届中国辐射固化年会”将于2014年05月06-09日在四川成都举行。届时将邀请国内外知名学者和企业家介绍辐射固化技术发展前沿和动态、技术进展以及市场发展趋势等内容。会议将采用论文与技术报告、技术交流、分组研讨、产品信息发布与展示等多种形式,为全体参会者提供一个技术交流、商务洽谈与业务合作的平台和机会。
本届年会在继承既有优良传统的基础上,全面发布行业综合信息,关注当今辐射固化行业热点,对“辐射固化技术前沿及进展”、“综合创新”、“新产品推荐”等主题拟邀请业内知名专家进行深入探讨,同时邀请国内外知名企业介绍各自在辐射固化领域的最新成果与进展。
会议期间还将召开中国感光学会辐射固化专业委员会理事会会议并进行第六届理事会换届选举。
会议主题:信息交流、资源共享、共谋发展
此次年会的主要内容有:
特邀报告,学术、技术报告,新产品信息发布及展示,理事会、技术委员会、学术委员会和《辐射固化通讯》编委会会议,第六届理事会换届选举等。
年会论文及报告征集内容:
1. 化学:活性稀释剂,低聚物,光引发剂,助剂,颜料,阳离子体系,双重固化体系,水性UV体系,光固化、电子束固化、微波辐射固化反应机理,化学配方等。
2.应用:
UV涂料:纸张、木材、塑料、金属、真空镀膜、粉末涂料、其它;
UV油墨:胶印、丝印、凸印、柔印、移印、喷墨、其它;
UV粘合剂:层压、封装、压敏、剥离涂层、其它;
电子化学品:光致抗蚀剂、印制电路板、光纤、 光盘、磁介质、移动手机、其它;
印刷板材:PS版、柔性版、凸版、CTP版;
UV固化在3D打印中的应用;
其它:光铸、表面光接枝、生物及医学应用。
3. 设备与装置:UV光源、光固设备、EB装置、涂装设备;
4. 分析测试:材料性能、固化性能、测试方法、标准;
5. 基材处理:电晕、火焰、等离子体、化学、其它;
6. 安全和控制:法规、安全、生态保护、节能、减排;
7. 技术与市场
8. 专利与标准
9. 综述及其它
本届年会将设立优秀论文奖,出版会议论文报告集。真诚邀请您参加本届年会,积极提交会议论文和报告,发表您的最新研究成果,交流关于辐射固化技术发展和未来趋势的见解。会议论文报告将收录中国知网(CNKI)中国重要会议论文全文数据库(CPCD)。
欢迎业内同仁踊跃投稿并给予精彩报告!
论文及报告要求:
会议将出版报告论文集,具体要求:
(1) 一律要求电子文本,格式为word或 ppt 文件
(2) 文章题目: 2号黑体(居中排)
(3) 作者名: 3号黑体(居中排)
(4) 单位名称: 5号宋体加括号
(5) 正文: 5号宋体,版芯尺寸140×210
(6) 图表: 图序,图题小5号宋体
(7) 参考文献: 小5号宋体字 摘引项目应有:
书:书名、作者、出版社、出版年、页数
期刊:作者、刊名、年和期号、页数
(8) 提供中英文题目及200字左右的中英文摘要
(9) 作者的姓名、单位、通信地址、电话、传真及E-mail地址
(10) 100字左右的第一作者个人简介
(11) 全文不少于2000字
(12) 提交方式:电子邮件发至协会秘书处及专委会学术委员会邮箱 radtechchina@126.com;lxy@jiangnan.edu.cn
论文报告摘要提交截止日期:2014年02月20日 延至 2014年03月05日
论文报告全文提交截止日期:2014年04月15日
(报告征集回执请见附件1 )
会议日程安排:
5月06日 报到注册
5月07-08日 大会邀请报告/学术及技术报告/ 技术交流及研讨/理事会及换届选举/产品信息发布及推介等
5月09日 会议考察(拟)
论文集广告征集:
欢迎UV/EB相关单位在本次会议论文集上刊登广告,网员单位价格优惠,具体事宜请联系专委会秘书处。(征集方案请见附件2)
欢迎网员单位及相关企业协办、支持本次会议!
联系方式:
中国感光学会辐射固化专业委员会/秘书处
地址:北京市朝阳区樱花西街8号北方安华大厦413室
邮编:100029 电话:010-6441 5732/6441 5715 传真:010-6441 5715
联系人:杨建文(13711228540) 刘晓亚(13806195902) 曲永力(13911598976) 佟晨(13521729086)
包芬芬(15811082178)
E-Mail: radtechchina@126.com lxy@jiangnan.edu.cn 网址: www.radtechchina.com
会议详情敬请关注专委会网站www.radtechchina.org并见后续第二轮通知(2014年03月)
附件1-报告论文征集.doc

附件2-协办及广告征集.doc

附件3-2014第十五届中国辐射固化年会 一轮回执.docx

附件4-2014第十五届中国辐射固化年会通知(一轮).pdf

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